SIA436DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L
SIA436DJ-T1-GE3 P1
SIA436DJ-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SIA436DJ-T1-GE3

品番
SIA436DJ-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- SIA436DJ-T1-GE3 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 SIA436DJ-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 8V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 12A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 1.2V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 800mV @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 25.2nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1508pF @ 4V
Vgs(最大) ±5V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 9.4 mOhm @ 15.7A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6 Single
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6

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