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| 品番 | SI8819EDB-T2-E1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 12V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.9A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 3.7V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 80 mOhm @ 1.5A, 3.7V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 900mV @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 17nC @ 8V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 650pF @ 6V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 900mW (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
| パッケージ/ケース | 4-XFBGA |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SI8810EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT | - | 0 | 詳細 |
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SI8812DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT | - | 3000 | 詳細 |
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SI8816EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT | - | 0 | 詳細 |
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SI8817DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT | - | 0 | 詳細 |
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SI8819EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT | - | 510346 | 詳細 |