SI4421DY-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
SI4421DY-T1-E3 P1
SI4421DY-T1-E3 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Vishay Siliconix ~ SI4421DY-T1-E3

品番
SI4421DY-T1-E3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- SI4421DY-T1-E3 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 SI4421DY-T1-E3
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 10A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 1.8V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 800mV @ 850µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 125nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
Vgs(最大) ±8V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.5W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 8.75 mOhm @ 14A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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