SI4401BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
SI4401BDY-T1-E3 P1
SI4401BDY-T1-E3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI4401BDY-T1-E3

品番
SI4401BDY-T1-E3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- SI4401BDY-T1-E3 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 SI4401BDY-T1-E3
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 8.7A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 55nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.5W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 14 mOhm @ 10.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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