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| 品番 | SI3473DV-T1-E3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 12V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.9A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 1.8V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 33nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| Vgs（最大） | ±8V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.1W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 23 mOhm @ 7.9A, 4.5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI3473CDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP | - | 0 | 詳細 |
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SI3473CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP | - | 0 | 詳細 |
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SI3473DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP | - | 412864 | 詳細 |
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SI3473DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP | - | 0 | 詳細 |
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SI3473DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP | - | 0 | 詳細 |
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SI3475DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP | - | 0 | 詳細 |
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SI3475DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP | - | 0 | 詳細 |
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SI3476DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 4.6A TSOP-6 | - | 12000 | 詳細 |
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SI3477DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP | - | 3000 | 詳細 |