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| 品番 | SI2311DS-T1-E3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 8V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 1.8V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 800mV @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 970pF @ 4V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 710mW (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 45 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2310-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE | - | 0 | 詳細 |
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SI2311DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 | - | 0 | 詳細 |
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SI2311DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 | - | 0 | 詳細 |
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SI2312-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE | - | 0 | 詳細 |
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SI2312BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | - | 9000 | 詳細 |
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SI2312BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | - | 39000 | 詳細 |
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SI2312CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23 | - | 0 | 詳細 |
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SI2314EDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 | - | 12000 | 詳細 |
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SI2314EDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 | - | 0 | 詳細 |
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SI2315BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 | - | 99000 | 詳細 |
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SI2315BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 | - | 0 | 詳細 |
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SI2316BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23 | - | 3000 | 詳細 |