IRLD024PBF

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
IRLD024PBF P1
IRLD024PBF P2
IRLD024PBF P3
IRLD024PBF P1
IRLD024PBF P2
IRLD024PBF P3
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Vishay Siliconix ~ IRLD024PBF

品番
IRLD024PBF
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRLD024PBF
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.5A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4V, 5V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 18nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 870pF @ 25V
Vgs(最大) ±10V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.3W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 100 mOhm @ 1.5A, 5V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
パッケージ/ケース 4-DIP (0.300", 7.62mm)

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