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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | BAV100-GS18 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 50V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 250mA (DC) |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1V @ 100mA |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 100nA @ 50V |
| 容量Vr、F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOD-80 MiniMELF |
| 動作温度 - ジャンクション | 125°C (Max) |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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BAV100-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | - | 2500 | 詳細 |
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BAV100-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | - | 0 | 詳細 |
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BAV101 L0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | - | 2421329 | 詳細 |
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BAV101 L1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | - | 2656723 | 詳細 |
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BAV101-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | - | 0 | 詳細 |
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BAV101-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | - | 0 | 詳細 |
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BAV102 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 150V 200MA LL34 | - | 5000 | 詳細 |
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BAV102,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS | 0 | 詳細 | |
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BAV102,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS | 0 | 詳細 | |
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BAV102-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80 | - | 5000 | 詳細 |
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BAV102-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80 | - | 0 | 詳細 |
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BAV102-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN 150V 200MA MINI MELF | - | 0 | 詳細 |