TPH3207WS

GAN FET 650V 50A TO247
TPH3207WS P1
TPH3207WS P1
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Transphorm ~ TPH3207WS

品番
TPH3207WS
メーカー
Transphorm
説明
GAN FET 650V 50A TO247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 TPH3207WS
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 50A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 8V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.65V @ 700µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 42nC @ 8V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2197pF @ 400V
Vgs(最大) ±18V
FET機能 -
消費電力(最大) 178W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 41 mOhm @ 32A, 8V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247
パッケージ/ケース TO-247-3

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