TP65H035WS

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
TP65H035WS P1
TP65H035WS P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Transphorm ~ TP65H035WS

品番
TP65H035WS
メーカー
Transphorm
説明
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 TP65H035WS
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 46.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 41 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.8V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 36nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1500pF @ 400V
FET機能 -
消費電力(最大) 156W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247-3
パッケージ/ケース TO-247-3

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