TPN2R203NC,L1Q

MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
TPN2R203NC,L1Q P1
TPN2R203NC,L1Q P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPN2R203NC,L1Q

品番
TPN2R203NC,L1Q
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- TPN2R203NC,L1Q PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 TPN2R203NC,L1Q
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 45A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.3V @ 500µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 34nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2230pF @ 15V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 700mW (Ta), 42W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.2 mOhm @ 22.5A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-TSON Advance (3.3x3.3)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN

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