画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | TPCF8102(TE85L,F,M |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 1.8V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.2V @ 200µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 19nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1550pF @ 10V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 700mW (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 30 mOhm @ 3A, 4.5V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | VS-8 (2.9x1.5) |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPCF8101(TE85L,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 12V 6A VS-8 | 0 | 詳細 | |
|
TPCF8102(TE85L,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A | 0 | 詳細 | |
 |
TPCF8104(TE85L,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 6A VS-8 | 0 | 詳細 | |
 |
TPCF8107,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 6A VS-8 | - | 435 | 詳細 |