TK40P03M1(T6RDS-Q)

MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
TK40P03M1(T6RDS-Q) P1
TK40P03M1(T6RDS-Q) P2
TK40P03M1(T6RDS-Q) P1
TK40P03M1(T6RDS-Q) P2
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK40P03M1(T6RDS-Q)

品番
TK40P03M1(T6RDS-Q)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 TK40P03M1(T6RDS-Q)
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 40A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.3V @ 100µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 17.5nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1150pF @ 10V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) -
Rds On(Max)@ Id、Vgs 10.8 mOhm @ 20A, 10V
動作温度 -
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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