TK20G60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
TK20G60W,RVQ P1
TK20G60W,RVQ P2
TK20G60W,RVQ P1
TK20G60W,RVQ P2
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK20G60W,RVQ

品番
TK20G60W,RVQ
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- TK20G60W,RVQ PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 TK20G60W,RVQ
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.7V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 48nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1680pF @ 300V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 Super Junction
消費電力(最大) 165W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 155 mOhm @ 10A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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