TK17E65W,S1X

MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
TK17E65W,S1X P1
TK17E65W,S1X P2
TK17E65W,S1X P1
TK17E65W,S1X P2
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK17E65W,S1X

品番
TK17E65W,S1X
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- TK17E65W,S1X PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 TK17E65W,S1X
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 17.3A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.5V @ 900µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 45nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1800pF @ 300V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 165W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 200 mOhm @ 8.7A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3

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