TK10A60E,S5X

MOSFET N-CH 600V TO220SIS
TK10A60E,S5X P1
TK10A60E,S5X P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK10A60E,S5X

品番
TK10A60E,S5X
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 600V TO220SIS
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- TK10A60E,S5X PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 TK10A60E,S5X
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 40nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1300pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 45W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220SIS
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack

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