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BOM

SSM6J213FE(TE85L,F

MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › SSM6J213FE(TE85L,F
SSM6J213FE(TE85L,F P1
SSM6J213FE(TE85L,F P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM6J213FE(TE85L,F

品番
SSM6J213FE(TE85L,F
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- SSM6J213FE(TE85L,F PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 SSM6J213FE(TE85L,F
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.6A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 1.5V, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id 1V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 4.7nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 290pF @ 10V
Vgs（最大） ±8V
FET機能 -
消費電力（最大） 500mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 103 mOhm @ 1.5A, 4.5V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ ES6
パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666

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画像 品番 メーカー 説明 PDF 在庫あり 見る
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