RN2713JE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2713JE(TE85L,F) P1
RN2713JE(TE85L,F) P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN2713JE(TE85L,F)

品番
RN2713JE(TE85L,F)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - アレイ、プリバイアス
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製品パラメータ

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品番 RN2713JE(TE85L,F)
部品ステータス Active
トランジスタタイプ 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 100mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 50V
抵抗器 - ベース(R1)(オーム) 47k
抵抗器 - エミッタベース(R2)(オーム) -
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和(最大)@Ib、Ic 300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタ遮断(最大) 100nA (ICBO)
周波数 - 遷移 200MHz
電力 - 最大 100mW
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-553
サプライヤデバイスパッケージ ESV

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