CMF04(TE12L,Q)

DIODE GEN PURP 800V 500MA MFLAT
CMF04(TE12L,Q) P1
CMF04(TE12L,Q) P2
CMF04(TE12L,Q) P3
CMF04(TE12L,Q) P4
CMF04(TE12L,Q) P1
CMF04(TE12L,Q) P2
CMF04(TE12L,Q) P3
CMF04(TE12L,Q) P4
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Toshiba Semiconductor and Storage ~ CMF04(TE12L,Q)

品番
CMF04(TE12L,Q)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
DIODE GEN PURP 800V 500MA MFLAT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- CMF04(TE12L,Q) PDF online browsing
家族
ダイオード - 整流器 - シングル
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製品パラメータ

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品番 CMF04(TE12L,Q)
部品ステータス Active
ダイオードタイプ Standard
電圧 - DC逆(Vr)(最大) 800V
電流 - 平均整流(Io) 500mA
電圧 - フォワード(Vf)(最大)@ If 2.5V @ 500mA
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) 100ns
電流 - 逆リーク(Vr) 50µA @ 800V
容量Vr、F -
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOD-128
サプライヤデバイスパッケージ M-FLAT (2.4x3.8)
動作温度 - ジャンクション -40°C ~ 150°C

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