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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | N06DB101K |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| タイプ | - |
| 材料 - コア | - |
| インダクタンス | 100µH |
| 公差 | ±10% |
| 電流定格 | 600mA |
| 現在の彩度 | - |
| シールド | Unshielded |
| DC抵抗（DCR） | 680 mOhm Max |
| Q @ Freq | - |
| 周波数 - 自己共振 | 7.9MHz |
| 評価 | - |
| 動作温度 | -25°C ~ 105°C |
| 頻度 - テスト | 1kHz |
| 特徴 | - |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | Nonstandard |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| サイズ/寸法 | 0.295" L x 0.287" W (7.50mm x 7.30mm) |
| 高さ - 座席（最大） | 0.126" (3.20mm) |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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N06 080 0003 1 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | - | 0 | 詳細 |
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N06 080 0003 2 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | - | 0 | 詳細 |
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N06 080 0003 3 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | - | 0 | 詳細 |
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N06 080 0003 4 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | - | 0 | 詳細 |
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N0601N-ZK-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | - | 0 | 詳細 |
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N0602N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 | - | 0 | 詳細 |
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N0603N-S23-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-262 | - | 0 | 詳細 |
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N0604N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 82A TO-220 | - | 0 | 詳細 |
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N06DB100K | Taiyo Yuden | FIXED IND 10UH 1.7A 79 MOHM SMD | 0 | 詳細 | |
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N06DB101K | Taiyo Yuden | FIXED IND 100UH 600MA 680 MOHM | 0 | 詳細 | |
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N06DB102J | Taiyo Yuden | FIXED IND 1MH 160MA 8.2 OHM SMD | 0 | 詳細 | |
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N06DB150K | Taiyo Yuden | FIXED IND 15UH 1.3A 120 MOHM SMD | 0 | 詳細 |