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Taiwan Semiconductor Corporation ~ TSM8N70CI C0

品番	TSM8N70CI C0
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	700V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	900 mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	32nC @ 10V
Vgs（最大）	±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2006pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	40W (Tc)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	ITO-220AB
パッケージ/ケース	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

品番	メーカー	説明	PDF	在庫あり	見る
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