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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | BZD27C6V8PHR3G |
|---|---|
| 部品ステータス | Not For New Designs |
| 電圧 - ツェナー（Nom）（Vz） | 6.8V |
| 公差 | ±5.88% |
| 電力 - 最大 | 1W |
| インピーダンス（最大）（Zzt） | 3 Ohms |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 10µA @ 3V |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.2V @ 200mA |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | DO-219AB |
| サプライヤデバイスパッケージ | Sub SMA |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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BZD27B100P-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 詳細 |
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BZD27B100P-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 詳細 |
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BZD27B100P-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 詳細 |
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BZD27B100P-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 詳細 |
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BZD27B100P-M3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 詳細 |
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BZD27B100P-M3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 詳細 |
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BZD27B10P-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 詳細 |
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BZD27B10P-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 詳細 |
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BZD27B10P-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 627239 | 詳細 |
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BZD27B10P-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 詳細 |
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BZD27B10P-M3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 詳細 |
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BZD27B10P-M3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | 詳細 |