STPSC6H065DLF

SILICON CARBIDE DIODES
STPSC6H065DLF P1
STPSC6H065DLF P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

STMicroelectronics ~ STPSC6H065DLF

品番
STPSC6H065DLF
メーカー
STMicroelectronics
説明
SILICON CARBIDE DIODES
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- STPSC6H065DLF PDF online browsing
家族
ダイオード - 整流器 - シングル
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製品パラメータ

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品番 STPSC6H065DLF
部品ステータス Active
ダイオードタイプ Silicon Carbide Schottky
電圧 - DC逆(Vr)(最大) 650V
電流 - 平均整流(Io) 6A
電圧 - フォワード(Vf)(最大)@ If 1.55V @ 6A
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) 0ns
電流 - 逆リーク(Vr) 60µA @ 650V
容量Vr、F 350pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
サプライヤデバイスパッケージ PowerFlat™ (8x8) HV
動作温度 - ジャンクション -40°C ~ 175°C

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