STH110N10F7-6

MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
STH110N10F7-6 P1
STH110N10F7-6 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

STMicroelectronics ~ STH110N10F7-6

品番
STH110N10F7-6
メーカー
STMicroelectronics
説明
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 STH110N10F7-6
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 110A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 72nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5117pF @ 50V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 150W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 6.5 mOhm @ 55A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ H²PAK
パッケージ/ケース TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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