STB200NF04L-1

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
STB200NF04L-1 P1
STB200NF04L-1 P1
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STMicroelectronics ~ STB200NF04L-1

品番
STB200NF04L-1
メーカー
STMicroelectronics
説明
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
STB200NF04L-1.pdf STB200NF04L-1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 STB200NF04L-1
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 120A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 90nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6400pF @ 25V
Vgs(最大) ±16V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 3.8 mOhm @ 50A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ I2PAK
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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