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| 品番 | SCT3160KLGC11 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 17A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 18V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5.6V @ 2.5mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 42nC @ 18V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 398pF @ 800V |
| Vgs（最大） | +22V, -4V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 103W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 208 mOhm @ 5A, 18V |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247N |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SCT3105KLGC11 | Rohm Semiconductor | SCT3105KL IS AN SIC SILICON CAR | - | 3704 | 詳細 |
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SCT3160KLHRC11 | Rohm Semiconductor | AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P | - | 5012 | 詳細 |