RRH100P03TB1

MOSFET P-CH 30V 10A SOP8
RRH100P03TB1 P1
RRH100P03TB1 P2
RRH100P03TB1 P3
RRH100P03TB1 P1
RRH100P03TB1 P2
RRH100P03TB1 P3
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Rohm Semiconductor ~ RRH100P03TB1

品番
RRH100P03TB1
メーカー
Rohm Semiconductor
説明
MOSFET P-CH 30V 10A SOP8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
RRH100P03TB1.pdf RRH100P03TB1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
  • 在庫あり$数量個
  • 参考価格 : submit a request

表示よりも数量の多い価格見積依頼を提出

製品パラメータ

すべての製品

品番 RRH100P03TB1
部品ステータス Not For New Designs
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 10A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 39nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3600pF @ 10V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 650mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 12.6 mOhm @ 10A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

関連製品

すべての製品