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| 品番 | RF4E100AJTCR |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1460pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±12V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 12.4 mOhm @ 10A, 4.5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | HUML2020L8 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerUDFN |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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RF4E070BNTR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML | 0 | 詳細 | |
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RF4E110GNTR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML | 0 | 詳細 |