DTC123JUBHZGTL

NPN DIGITAL TRANSISTOR WITH BUI
DTC123JUBHZGTL P1
DTC123JUBHZGTL P1
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Rohm Semiconductor ~ DTC123JUBHZGTL

品番
DTC123JUBHZGTL
メーカー
Rohm Semiconductor
説明
NPN DIGITAL TRANSISTOR WITH BUI
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- DTC123JUBHZGTL PDF online browsing
家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル、プリバイアス
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製品パラメータ

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品番 DTC123JUBHZGTL
部品ステータス Active
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased + Diode
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 100mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) -
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和(最大)@Ib、Ic 300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタ遮断(最大) -
周波数 - 遷移 250MHz
電力 - 最大 200mW
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SC-85
サプライヤデバイスパッケージ UMT3F

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