NSTB60BDW1T1

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
NSTB60BDW1T1 P1
NSTB60BDW1T1 P1
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ON Semiconductor ~ NSTB60BDW1T1

品番
NSTB60BDW1T1
メーカー
ON Semiconductor
説明
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- NSTB60BDW1T1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - アレイ、プリバイアス
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製品パラメータ

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品番 NSTB60BDW1T1
部品ステータス Obsolete
トランジスタタイプ 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 150mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 50V
抵抗器 - ベース(R1)(オーム) 22k
抵抗器 - エミッタベース(R2)(オーム) 47k
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Vce飽和(最大)@Ib、Ic 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA
周波数 - 遷移 140MHz
電力 - 最大 250mW
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤデバイスパッケージ SC-88/SC70-6/SOT-363

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