NCV51511PDR2G

HIGH SIDE AND LOW SIDE GA
NCV51511PDR2G P1
NCV51511PDR2G P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

ON Semiconductor ~ NCV51511PDR2G

品番
NCV51511PDR2G
メーカー
ON Semiconductor
説明
HIGH SIDE AND LOW SIDE GA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- NCV51511PDR2G PDF online browsing
家族
PMIC - ゲートドライバ
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製品パラメータ

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品番 NCV51511PDR2G
部品ステータス Active
駆動構成 High-Side or Low-Side
チャネルタイプ Synchronous
ドライバ数 2
ゲートタイプ N-Channel MOSFET
電圧 - 供給 8V ~ 16V
ロジック電圧 - VIL、VIH 2V, 1.8V
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) 3A, 6A
入力方式 Non-Inverting
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) 100V
立ち上がり/立ち下がり時間(Typ) 6ns, 4ns
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC-EP

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