FQA9N90-F109

MOSFET N-CH 900V 8.6A TO-3P
FQA9N90-F109 P1
FQA9N90-F109 P1
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ON Semiconductor ~ FQA9N90-F109

品番
FQA9N90-F109
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 900V 8.6A TO-3P
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- FQA9N90-F109 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 FQA9N90-F109
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 900V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 8.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.3 Ohm @ 4.3A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 72nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2700pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 240W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-3PN
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3

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