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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | 2N7000-D26Z |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 200mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On(Max)@ Id、Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th)(Max)@ Id | 3V @ 1mA |
| ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | - |
| Vgs(最大) | ±20V |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 50pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力(最大) | 400mW (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |