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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | PHN210,118 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.8V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 6nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 250pF @ 20V |
| 電力 - 最大 | 2W |
| 動作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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PHN203,518 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1 | 0 | 詳細 | |
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PHN210,118 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC | - | 0 | 詳細 |
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PHN210T,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC | 2500 | 詳細 |