BFU660F,115

TRANSISTOR NPN SOT343F-4
BFU660F,115 P1
BFU660F,115 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

NXP USA Inc. ~ BFU660F,115

品番
BFU660F,115
メーカー
NXP USA Inc.
説明
TRANSISTOR NPN SOT343F-4
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- BFU660F,115 PDF online browsing
家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - RF
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製品パラメータ

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品番 BFU660F,115
部品ステータス Active
トランジスタタイプ NPN
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 5.5V
周波数 - 遷移 21GHz
ノイズ・フィギュア(dB Typ @ f) 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
利得 12dB ~ 21dB
電力 - 最大 225mW
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 90 @ 10mA, 2V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 60mA
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-343F
サプライヤデバイスパッケージ 4-DFP

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