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Nexperia USA Inc. ~ PMZB600UNELYL

品番	PMZB600UNELYL
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	600mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	950mV @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）	±8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	21.3pF @ 10V
FET機能	-
消費電力（最大）	360mW (Ta)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	DFN1006B-3
パッケージ/ケース	3-XFDFN

PMZB600UNELYL