PMXB43UNEZ

MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3G
PMXB43UNEZ P1
PMXB43UNEZ P1
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Nexperia USA Inc. ~ PMXB43UNEZ

品番
PMXB43UNEZ
メーカー
Nexperia USA Inc.
説明
MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3G
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 PMXB43UNEZ
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.2A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 1.5V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 900mV @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 10nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 551pF @ 10V
Vgs(最大) ±8V
FET機能 -
消費電力(最大) 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 54 mOhm @ 3.2A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ DFN1010D-3
パッケージ/ケース 3-XDFN Exposed Pad

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