PMV30UN2R

MOSFET N-CH 20V SOT23
PMV30UN2R P1
PMV30UN2R P1
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Nexperia USA Inc. ~ PMV30UN2R

品番
PMV30UN2R
メーカー
Nexperia USA Inc.
説明
MOSFET N-CH 20V SOT23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
PMV30UN2R.pdf PMV30UN2R PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 PMV30UN2R
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4.2A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 1.2V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 900mV @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 11nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 655pF @ 10V
Vgs(最大) ±12V
FET機能 -
消費電力(最大) 490mW (Ta), 5W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 32 mOhm @ 4.2A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-236AB (SOT23)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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