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| 品番 | PHT6NQ10T,135 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 21nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 633pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 90 mOhm @ 3A, 10V |
| 動作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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PHT6N06LT,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223 | - | 0 | 詳細 |
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PHT6N06T,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 | - | 0 | 詳細 |
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PHT6NQ10T,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 3A SOT223 | 8000 | 詳細 |