BSH202,215

MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23
BSH202,215 P1
BSH202,215 P1
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Nexperia USA Inc. ~ BSH202,215

品番
BSH202,215
メーカー
Nexperia USA Inc.
説明
MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BSH202,215.pdf BSH202,215 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 BSH202,215
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 520mA (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.9V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 2.9nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 80pF @ 24V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 417mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 900 mOhm @ 280mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-236AB (SOT23)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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