JAN1N1190R

DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
JAN1N1190R P1
JAN1N1190R P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Microsemi Corporation ~ JAN1N1190R

品番
JAN1N1190R
メーカー
Microsemi Corporation
説明
DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- JAN1N1190R PDF online browsing
家族
ダイオード - 整流器 - シングル
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製品パラメータ

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品番 JAN1N1190R
部品ステータス Active
ダイオードタイプ Standard, Reverse Polarity
電圧 - DC逆(Vr)(最大) 600V
電流 - 平均整流(Io) 35A
電圧 - フォワード(Vf)(最大)@ If 1.4V @ 110A
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) -
電流 - 逆リーク(Vr) 10µA @ 600V
容量Vr、F -
取付タイプ Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース DO-203AB, DO-5, Stud
サプライヤデバイスパッケージ DO-5
動作温度 - ジャンクション -65°C ~ 175°C

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