APTM20UM09SG

MOSFET N-CH 200V 195A J3
APTM20UM09SG P1
APTM20UM09SG P1
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Microsemi Corporation ~ APTM20UM09SG

品番
APTM20UM09SG
メーカー
Microsemi Corporation
説明
MOSFET N-CH 200V 195A J3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
APTM20UM09SG.pdf APTM20UM09SG PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 APTM20UM09SG
部品ステータス Discontinued at Digi-Key
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 195A
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 4mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 217nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 12300pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 780W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 9 mOhm @ 74.5A, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
サプライヤデバイスパッケージ Module
パッケージ/ケース J3 Module

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