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| 品番 | APT50GT60BRDQ2G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | NPT |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 600V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 110A |
| 電流 - コレクタパルス（Icm） | 150A |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 2.5V @ 15V, 50A |
| 電力 - 最大 | 446W |
| スイッチングエネルギー | 995µJ (on), 1070µJ (off) |
| 入力方式 | Standard |
| ゲートチャージ | 240nC |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 14ns/240ns |
| テスト条件 | 400V, 50A, 5 Ohm, 15V |
| 逆回復時間（trr） | 22ns |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 [B] |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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APT5010B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | - | 32 | 詳細 |
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APT5010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | - | 0 | 詳細 |
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APT5010JLLU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 | - | 63 | 詳細 |
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APT5010JLLU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 | - | 23 | 詳細 |
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APT5010JVRU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | - | 49 | 詳細 |
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APT5010JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | - | 2 | 詳細 |
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APT5010LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | - | 83 | 詳細 |
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APT5010LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | - | 69 | 詳細 |
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APT5012JN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP | 0 | 詳細 | |
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APT5014B2VRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V T-MAX | - | 0 | 詳細 |
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APT5014BLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 35A TO-247 | - | 7 | 詳細 |
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APT5014SLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK | - | 0 | 詳細 |