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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | APT40GR120B |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | NPT |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 1200V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 88A |
| 電流 - コレクタパルス（Icm） | 160A |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 3.2V @ 15V, 40A |
| 電力 - 最大 | 500W |
| スイッチングエネルギー | 1.38mJ (on), 906µJ (off) |
| 入力方式 | Standard |
| ゲートチャージ | 210nC |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 22ns/163ns |
| テスト条件 | 600V, 40A, 4.3 Ohm, 15V |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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APT4012BVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | 0 | 詳細 | |
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APT4012BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | 0 | 詳細 | |
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APT4016BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V TO-247 | - | 0 | 詳細 |
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APT4065BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD | - | 0 | 詳細 |
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APT40DC120HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227 | - | 5 | 詳細 |
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APT40DC60HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 600V SOT227 | - | 0 | 詳細 |
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APT40DQ100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247 | 0 | 詳細 | |
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APT40DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247 | - | 2905 | 詳細 |
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APT40DQ120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247 | 0 | 詳細 | |
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APT40DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247 | - | 355 | 詳細 |
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APT40DQ60BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 600V 40A TO247 | - | 255 | 詳細 |
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APT40DQ60BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 40A TO247 | - | 2581 | 詳細 |