IXTP1R6N50D2

MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
IXTP1R6N50D2 P1
IXTP1R6N50D2 P1
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IXYS ~ IXTP1R6N50D2

品番
IXTP1R6N50D2
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- IXTP1R6N50D2 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 IXTP1R6N50D2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 500V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.6A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) -
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 23.7nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 645pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 100W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.3 Ohm @ 800mA, 0V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3

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