画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | IXTN40P50P |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 500V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 205nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11500pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 890W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 230 mOhm @ 500mA, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN102N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227 | - | 58 | 詳細 |
 |
IXTN110N20L2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227 | 0 | 詳細 | |
 |
IXTN120N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 | - | 0 | 詳細 |
 |
IXTN120P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227 | 0 | 詳細 | |
 |
IXTN170P10P | IXYS | MOSFET P-CH 100V 170A SOT227 | - | 177 | 詳細 |
 |
IXTN17N120L | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B | - | 0 | 詳細 |
 |
IXTN200N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227 | - | 373 | 詳細 |
 |
IXTN200N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227 | 0 | 詳細 | |
 |
IXTN210P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227 | 0 | 詳細 | |
 |
IXTN21N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B | - | 0 | 詳細 |
 |
IXTN22N100L | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 | - | 414 | 詳細 |
 |
IXTN240N075L2 | IXYS | MOSFET N-CH | - | 1894 | 詳細 |