IXFB300N10P

MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264
IXFB300N10P P1
IXFB300N10P P1
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IXYS ~ IXFB300N10P

品番
IXFB300N10P
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXFB300N10P.pdf IXFB300N10P PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXFB300N10P
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 300A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 8mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 279nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 23000pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 1500W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 5.5 mOhm @ 50A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PLUS264™
パッケージ/ケース TO-264-3, TO-264AA

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