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Infineon Technologies ~ SPD09P06PLGBTMA1

品番	SPD09P06PLGBTMA1
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	9.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	250 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	21nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	450pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	42W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO252-3
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SPD09P06PLGBTMA1