IRFH8307TRPBF

MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
IRFH8307TRPBF P1
IRFH8307TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFH8307TRPBF

品番
IRFH8307TRPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRFH8307TRPBF.pdf IRFH8307TRPBF PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRFH8307TRPBF
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 42A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.35V @ 150µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 120nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 7200pF @ 15V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.3 mOhm @ 50A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN

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