IRFH5020TRPBF

MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
IRFH5020TRPBF P1
IRFH5020TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFH5020TRPBF

品番
IRFH5020TRPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRFH5020TRPBF.pdf IRFH5020TRPBF PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRFH5020TRPBF
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.1A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 150µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 54nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2290pF @ 100V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 55 mOhm @ 7.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN

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